概要:
ASMは拡散，酸化、原子層CVD,プラズマALD,減圧CVD アプリケーション用に優れた縦型炉を開発しました。A400シリーズは現状技術のニーズに合致するよう有効活用された広範囲なバッチ炉です。又90nm 以降にも対応します。ASMはCoO低減の継続的なプロセスやプロセスの拡張性としてのイノベーションを見据えています。

ASMの設計思想は全てのA400シリーズに対し、いたるところにシナジーを創造することです。ASMの特徴を示す２つのボート処理や高速昇降温などは A400シリーズの全ての炉に採用されています。最新ハードの開発やソフトのリリースは、全ての装置において継続的に実施されています。その一例として A412にて開発され、そしてA400にも可能となる減圧CVD用インジェクタープロセスがあります。

この試みによりＡＳＭはブリッジツールを製造する事が可能になりました。

A400はその装置の一つで、200mmウェハと同様に同時に100mm,150mmウェハのプロセスが可能です。

- ADDITIONAL INFORMATION

A400シリーズの特徴：

• 二つの炉構成により最適な生産性と最小フットプリント当たりのコストを実現
• 二つの炉モジュールに二つのボート構成条件下で100%の炉稼動率を保証
• さまざまなウェハ径（100mm,150mm,200mm,300mm）に対応
• 大容量のカセット/フープストッカーで連続処理生産が可能
• 連続処理用クラスター対応
• N2パージのミニ環境
• 容易なメンテナンス：全ての面からアクセス可能
• 高性能なウェハ及びカセット搬送ロボット
• 統合したメトロロジー:フットプリントに影響を与えず装置内に設置可能。パターンウエハ同様ブランケットウエハ上の膜厚を測定するコンパクトなエリプソメータを搭載。
  

可能プロセス：

• 酸化
• アニール
• ポリシリコン膜（ノンドープ、P,As,Bドープ）
• アモルファスシリコン
• ポリSi-Ge
• HSG
• TEOS
• シリコン窒化膜
• 高温酸化膜
• SiON
• ALCVD:Al2O3,Ta2O5,HfO2,それらの積層膜、TiN
• 低温窒化膜･酸化膜　550度C 以下（BTBAS）
• プラズマを利用したプロセス
• ナノドット/SONOS
• より低い低温窒化膜･酸化膜　450度C以下（Silcore ベース）